Acheter maintenant et ramasser en magasin

  • Couverture_Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories
Aperçu gratuit du livre Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics And Applications

Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics And Applications

Byung-eun Park Édition : Hiroshi Ishiwara , Masanori Okuyama
24 mars 2021
248,50 $
Prix en ligne. Les prix et les offres peuvent différer en magasin.
.
.    En Savoir Plus
Commande minimum de  1 articles
Vente ferme. Aucun retour ou échange.
La livraison de cet article sera effectuée sur rendez-vous par notre transporteur partenaire.
Voir tous les formats

M’expédier cet article

Vérification des stocks…

Acheter maintenant et ramasser en magasin

Vérification des stocks…

Trouver en magasin

Vérification des stocks…

Obtenez 1 243 points et profitez d’un rabais additionnel avec plum+.  .

Description

Convient aux personnes de
Langue
anglais
Pages
425
Topics in Applied Physics
Publié par: Springer Nature
Dimensions à l’expédition: 9" H x 6" W x 1" L
ISBN: 9789811512148
Étape de vie: null

Vous aimerez peut-être aussi

Cotes et évaluations

  • bvseo_sdk, dw_cartridge, 18.2.0, p_sdk_3.2.0
  • CLOUD, getReviews, 5ms
  • reviews, product
  • bvseo-msg: Unsuccessful GET. status = 'ERROR', msg = 'Not Found.'; Unsuccessful GET. status = 'ERROR', msg = 'Not Found.';

Évaluation éditoriale

hiroshi ishiwara

Auteur

D’autres ont aussi acheté

Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics And Applications C3DBFE71-7B8D-4A1A-9495-256A6A0648CD
Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics And Applications
https://dynamic.indigoimages.ca/v1/books/books/9402414169/1.jpg
189.95
Ferroelectric-gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics And Applications
https://dynamic.indigoimages.ca/v1/books/books/9811512140/1.jpg
248.5